半導體晶圓作為芯片制造的基石,其質量直接決定芯片性能與可靠性。在半導體制造流程中,晶圓需經(jīng)歷400至800個工藝步驟,耗時1至2個月。任何早期缺陷若未被及時檢出,將導致后續(xù)工藝的無效投入,因此晶圓檢測成為保障良率的核心環(huán)節(jié)。 一、檢測技術的分類與應用場景 1. 量測與缺陷檢測的協(xié)同體系 量測技術通過光學、電子束等手段,對晶圓尺寸、薄膜厚度、電路圖案線寬等參數(shù)進行精密測量,確保工藝精度符合設計要求。例如,橢偏儀可測量薄膜厚度,CD-SEM(臨界尺寸掃描電...
2025-07-09 17:33:49